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本发明涉及到一种基于双层膜工艺的铜箔基底石墨烯转移的方法,首先将铜箔基底石墨烯晾干;将配置好的聚乙烯醇(PVA)溶液、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶液依次旋涂在石墨烯/铜箔上,形成PMMA/PVA/石墨烯/铜箔复合层;然后用氧等离子体刻蚀铜箔背面石墨烯碎片,再过硫酸钾溶液进行刻蚀。再将PMMA/PVA/石墨烯复合层置于硅片上,依次去除PMMA层与PVA层,最后成功得到硅基底石墨烯。本发明减少了转移后石墨烯的碎片、褶皱、裂缝、残胶等缺陷,最大程度去除了目标基底上的金属颗粒物,增强亲水性,提高了石墨
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112777589 A
(43)申请公布日
2021.05.11
(21)申请号 20191
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