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陶瓷烧结体以及半导体装置用基板.pdfVIP

陶瓷烧结体以及半导体装置用基板.pdf

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    陶瓷烧结体(3)包含Zr、Al、Y和Mg，Zr的含量以ZrO2换算为7.5质量％以上且23.5质量％以下，Al的含量以Al2O3换算为74.9质量％以上且91.8质量％以下，Y的含量以Y2O3换算为0.41质量％以上且1.58质量％以下，Mg的含量以MgO换算为0.10质量％以上且0.80质量％以下。陶瓷烧结体(3)的热老化后M相率为15％以下。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112789255 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 201880098368.2 (51)Int.Cl.

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