GaN HEMT和Si-CMOS单片集成方法.pdfVIP

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2023-06-06 发布于四川
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GaN HEMT和Si-CMOS单片集成方法.pdf

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本发明提供了一种GaNHEMT和Si‑CMOS单片集成方法，所述方法包括以下步骤：步骤S100，在硅衬底上外延生长GaN外延层结构；步骤S200，蚀刻所述GaN外延层结构形成GaNHEMT器件区域和Si‑CMOS器件区域；步骤S300，在GaNHEMT器件区域制备GaNHEMT；步骤S400，在Si‑CMOS器件区域制备Si‑CMOS。本发明通过蚀刻GaN外延层结构形成GaNHEMT器件区域和Si‑CMOS器件区域，以在同一衬底上制备GaNHEMT和Si‑CMOS，实现GaNHEM

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768410 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011613237.9 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人深圳市汇芯通信技术有限公司