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本发明提供了一种GaNHEMT和Si‑CMOS单片集成方法,所述方法包括以下步骤:步骤S100,在硅衬底上外延生长GaN外延层结构;步骤S200,蚀刻所述GaN外延层结构形成GaNHEMT器件区域和Si‑CMOS器件区域;步骤S300,在GaNHEMT器件区域制备GaNHEMT;步骤S400,在Si‑CMOS器件区域制备Si‑CMOS。本发明通过蚀刻GaN外延层结构形成GaNHEMT器件区域和Si‑CMOS器件区域,以在同一衬底上制备GaNHEMT和Si‑CMOS,实现GaNHEM
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768410 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011613237.9
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 深圳市汇芯通信技术有限公司
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