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一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法。涉及氮化镓功率半导体器件。本发明中通道层、电流阻挡层孔径、漂移层和两个漂移通道构成一个环状的漂移区结构，相对于仅有横向漂移区的横向导通型氮化镓HEMT器件结构或者仅有垂直漂移区的垂直导通型氮化镓HEMT器件结构，本发明中的漂移区路径总长度大于制作在相同尺寸的基板及外延层上的横向导通型器件结构或者垂直导通型器件结构的氮化镓HEMT中漂移区路径的长度，由此增大氮化镓HEMT器件的阻断电压。本发明具有提高器件的阻断电压，同时使器件的栅极电极、源极电极、漏极电极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768358 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011638927.X
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 扬州
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