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本发明构思涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的第一有源图案和第二有源图案，第一和第二有源图案在第一方向上彼此相邻且第一沟槽在第一有源图案与第二有源图案之间；在衬底上的第三有源图案和第四有源图案，第三有源图案和第四有源图案在第一方向上彼此相邻且第二沟槽在第三有源图案与第四有源图案之间。该半导体器件包括在第一沟槽中的第一器件隔离层和在第二沟槽中的第二器件隔离层。第二沟槽在第一方向上的宽度大于第一沟槽在第一方向上的宽度。第二器件隔离层包括从第二器件隔离层的顶表面突出的第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768449 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011122787.0
(22)申请日 2020.10.20
(30)优先权数据
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