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本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成包括栅极牺牲层和栅极层交替叠置的叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的沟道孔，并在沟道孔的内壁依次形成阻挡层、电荷捕获层、隧穿层和沟道层，以形成沟道结构；形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的栅极凹槽，其中，栅极凹槽与沟道结构具有间距；经由栅极凹槽依次去除栅极牺牲层、阻挡层的与栅极牺牲层对应的部分以及电荷捕获层的与栅极牺牲层对应的部分，以形成牺牲间隙；以及在牺牲间隙内填充电介质材料，以形成栅极介质层。该制备方法能够有效地抑制每个栅极层对应
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112820736 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202110306553.X
(22)申请日 2021.03.23
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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