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本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备,通过对待测试的DRAM进行两轮测试,以预设测试单元为单位从所述待测试的DRAM的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元,对于遍历到的目标测试单元,基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作,将读取的数据与对应写入的数据进行比较,通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果,能够模拟先激活行,对某列进行访问后,再对行进行预充电的ACT‑PRE操作,覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802532 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202110193200.3
(22)申请日 2021.02.20
(71)申请人 深圳佰维存储科技股份有限公司
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