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    一种集成电路(IC)装置包括位于衬底上的第一鳍型有源区域和第二鳍型有源区域。设置了多个第一半导体图案，其堆叠在所述第一鳍型有源区域上作为第一FINFET的多个间隔开的第一沟道区域。设置了多个第二半导体图案，其堆叠在所述第二鳍型有源区域上作为第二FINFET的多个间隔开的第二沟道区域。第一栅极结构设置在所述多个第一半导体图案上。该第一栅极结构包括第一材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第一沟道区域之间的空间。此外，第二栅极结构设置在所述多个第二半导体图案上。所述第二栅极结构包括第二材料区域和

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820730 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011210730.6 H01L 21/8234 (2006.01)

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