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本发明涉及半导体光电子领域,提供了一种用于芯片级封装的发光元件及其制备方法和封装结构。方法包括:依次制作外延层、N型导电区域、覆盖P型半导体层的电流扩展层、覆盖电流扩展层和外延层的钝化层、P电极和N电极;然后使用磁控溅射工艺制作覆盖P电极端面和N电极端面的第一种子层;使用磁控溅射工艺制作覆盖第一种子层、钝化层、P电极侧面及N电极侧面的第二种子层;使用电镀工艺在覆盖P电极端面的第二种子层上以及在覆盖N电极端面的第二种子层上制作加厚电极;最后刻蚀覆盖在P电极端面和N电极端面之外区域的第二种子层。该方
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112802934 B
(45)授权公告日 2021.07.13
(21)申请号 202110293423.7 (51)Int.Cl.
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