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2023-06-07 发布于四川
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一种钨硅靶材及其溅射面的抛光方法.pdf

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本发明提供一种钨硅靶材及其溅射面的抛光方法，所述抛光方法包括往返进行的第一水磨抛光、第二水磨抛光与第三水磨抛光；所述往返的次数为15‑25次；所述第一水磨抛光、第二水磨抛光与第三水磨抛光的靶材运行速度分别独立地为0.1‑0.3m/s，且分别独立地采用水磨砂带进行；所述水磨砂带的转速为10‑30r/min，规格包括600#白刚玉砂带或800#白刚玉砂带；所述第一水磨抛光、第二水磨抛光与第三水磨抛光的过程中分别独立地伴随着冷却水冲刷靶材溅射面；所述冷却水的冲刷速率为600‑800mL/min，温度为

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112809455 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110003425.8 C23C 14/34 (2006.01) (22)申请日 2

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