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2023-06-07 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆上依次形成有第一导电层、介质层，所述介质层内形成有暴露所述第一导电层的接触孔；在所述接触孔内依次形成Ti层和第一TiN层，形成所述Ti层和第一TiN层的工艺在同一工艺腔内进行；在所述第一TiN层上形成第二TiN层。通过在所述接触孔内形成Ti层后，在形成所述Ti层的工艺腔内通入N2，在所述Ti层上经高温氮化工艺形成第一TiN层，防止半导体晶圆从形成Ti层的工艺腔到达下个一工艺腔的过程中在Ti层上面形成高电阻率的TiO2夹层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802798 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110314507.4 (22)申请日 2021.03.24 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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