一种大直径碳化硅单晶及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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一种大直径碳化硅单晶及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种大直径碳化硅单晶及其制备方法，属于结晶生长技术领域。本发明提供的方法：将结晶物料，在籽晶、保护气氛下进行结晶生长；结晶生长结束后，将所得单晶进行原位退火处理，得到所述大直径单晶；所述结晶生长在坩埚中进行；采用2个加热线圈分别对所述坩埚的顶部和底部进行加热；对所述坩埚顶部进行加热的加热线圈中心与晶体生长界面在同一水平面上。本发明采用两个感应加热线圈分别对坩埚的顶部和底部进行加热，保持坩埚的顶部和底部温度差；结晶生长过程中，保持上线圈中心与晶体生长界面在同一水平面上，维持生长界面温场

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112813494 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011627014.8 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人山西烁科晶体有限公司

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