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2023-06-07 发布于四川
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III族氮化物衬底制备方法和半导体器件.pdf

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一种III族氮化物衬底制备方法和半导体器件，其中III族氮化物衬底制备方法包括：在衬底表面形成多孔SiO2层，将多孔金属掩膜层覆盖于所述多孔SiO2层，其中所述多孔金属掩膜层的多孔与所述多孔SiO2层的多孔一一对应且孔径一致；在所述多孔金属掩膜层上表面和所述一一对应的多孔中同步生长III族氮化物层；去除所述多孔金属掩膜层上表面的III族氮化物层和多孔金属掩膜层形成周期性排列的III族氮化物纳米柱。本发明在衬底表面生长SiO2层，利用衬底与SiO2的折射率差异，增加深紫外LED的出光效率；同时形成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802930 B (45)授权公告日 2021.07.06 (21)申请号 202110402917.4 B82Y 40/00 (2011.01)

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