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本发明提供用于半导体装置的温度独立电阻性‑电容性延迟电路的方法和设备。举例来说,可实施与RAS链的ZQ校准或时序相关联的延迟,以包含展现与绝对温度成比例PTAT特性和与绝对温度互补CTAT特性的电路,以便跨越操作温度范围控制延迟时间。所述RC延迟电路可包含具有PTAT特性的具有的第一类型的电路,所述第一类型的电路与具有CTAT特性的阻抗的第二类型的电路并联耦合到输出节点。在一些实施例中,所述第一类型的电路可包含电阻器且所述第二类型的电路可包含晶体管。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112823477 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 201880098573.9 (51)Int.Cl.
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