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本申请涉及蚀刻方法以及蚀刻装置,改善通过蚀刻形成的图案的形状或形状在基板面内的均匀性。蚀刻方法包括:工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)是将具有被蚀刻膜的基板提供至载置台上的工序。工序b)是对被蚀刻膜进行局部蚀刻而形成凹部的工序。工序c)是将载置台的温度设定为第一温度,在凹部的侧壁形成具有第一膜厚分布的第一膜的工序。工序d)是进一步对形成有第一膜的被蚀刻膜进行局部蚀刻的工序。工序e)是将载置台的温度设定为与第一温度不同的第二温度,在凹部的侧壁形成具有与第一膜厚分布不同的第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112838004 A
(43)申请公布日 2021.05.25
(21)申请号 202011284490.4
(22)申请日 2020.11.17
(30)优先权数据
2019-2122
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