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制造半导体器件的方法和半导体器件.pdfVIP

制造半导体器件的方法和半导体器件.pdf

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    本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。该制造半导体器件的方法，包括以下步骤：通过在衬底上依次生长AlGaN层或者InAlN层、AlN层和GaN层来形成半导体堆叠；通过对半导体堆叠的表面进行干法刻蚀在半导体堆叠中形成凹部，该表面与衬底相反；在凹部中生长GaN区；以及在GaN区上形成欧姆电极；其中，在凹部的形成中，响应于凹部到达AlN层而停止干法刻蚀。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112837999 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011285736.X H01L 29/778 (2006.01) (22)申请日

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