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本发明涉及硅晶片制备装置技术领域，公开了电源芯片生产用硅晶片正性光致抗蚀剂蚀刻设备及工艺，通过温度传感器的设置能够对抗蚀剂进行温度检测，当温度过低时加热丝开始对抗蚀剂进行加热，增强了抗蚀剂本身的活性，从而使得喷出的抗蚀剂能够夹块硅晶片蚀刻的速度，两个定位仪对硅晶片进行检测，当检测到硅晶片的时候，定位仪通过传导线将信号传入位置处理器内，中央控制器通过间歇导线启动液体泵，使得进液管将积液箱内的抗蚀剂排进液体泵内，经过液体泵的增压作用将抗蚀剂排挤出液管内，最后经过多孔喷头喷洒在硅晶片上，当定位仪检测不
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112817208 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202011641883.6
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 薛俊治
地址 321
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