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本公开涉及横向扩散金属‑氧化物半导体晶体管及其形成方法。一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽,其中所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁。栅极区包括填充于所述沟槽中的导电材料。具有第一导电类型的漂移区邻近所述第二侧壁形成于所述半导体衬底中。漏极区形成于所述漂移区中并且与所述第二侧壁间隔开第一距离。电介质层形成于所述半导体衬底的顶表面处,覆盖所述栅极区和所述第二侧壁与所述漏极区之间的所述漂移区。场板形成于所述电介质层上方并且借助于所述电介质层与所述导电材料和所述漂移区隔离。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112838124 A
(43)申请公布日 2021.05.25
(21)申请号 202011312930.2
(22)申请日 2020.11.20
(30)优先权数据
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