DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备.pdf

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本发明公开了一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，对于遍历到的目标预设操作位，基于预设测试数据向目标预设操作位及与目标预设操作位相邻的相邻预设操作位按照预设顺序进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，由于耦合故障在特定情况下才能够被激发，比如相邻的存储单元之间存在大幅度的电势差，向目标预设操作位及相邻预设操作位进行数据写入和读取，模拟该情况，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802531 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110029293.6 (22)申请日 2021.01.11 (71)申请人深圳佰维存储科技股份有限公司

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