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本发明能够提供用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质。用于优化光刻工艺窗口的方法包括:获取理想光刻条件下的理想光源信息和理想掩模信息,依据理想光源信息和理想掩模信息生成理想光刻条件下的工艺窗口信息;基于工艺窗口信息得到用于优化当前光刻工艺窗口的像差系数组合;其中,在当前光刻过程中使用与理想光源信息对应的光源以及与理想掩模信息对应的掩模。本发明能够快速地确定像差系数组合,以利用该像差系数组合提高光刻成像质量,进而提高半导体器件制造的良率。本发明能够有效解决非理想光刻机系统或非理想工艺条件
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112817212 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202110034008.X
(22)申请日 2021.01.11
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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