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本发明公开了一种沉积碳化硅薄膜的方法，通过将基体放入沉积反应区域内，对所述基体做预处理，其中，所述预处理为采用一束紫外射线照射所述基体表面；向所述沉积反应区域内通入第一前驱体源，所述基体与所述第一前驱体源沉积反应形成一层碳化硅分子层；向所述沉积反应区域内通入惰性气体吹扫所述基体表面去除沉积反应的副产物和未反应的第一前驱体。通过将紫外射线照射基体表面，再通入含硅碳氢的前驱体源，基体与前驱体源发生沉积反应形成一层碳化硅分子层薄膜，将基体表面沉积反应的副产物和未反应的第一前驱体吹扫去除，解决了不易在已
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112825299 A
(43)申请公布日
2021.05.21
(21)申请号 20191
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