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本发明涉及具有单晶PMNT的声表面波谐振器及制造方法。该谐振器包括厚度为350‑500μm的衬底层、厚度为1‑1.6λ或3λ的高声速层、厚度为0.2λ的氧化层、单晶PMNT厚度为λ的压电薄膜;及厚度为180‑200nm的电极层。PMNT压电薄膜材料为(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3,其中x=0.38,极化方向为方向。该谐振器的制作方法包括:对PMNT单晶片进行处理,获得压电薄膜;在Si衬底上沉积高声速层,在高声速层上沉积氧化层;将氧化层和压电薄膜低温键合;在压
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112838838 A
(43)申请公布日 2021.05.25
(21)申请号 202011608835.7
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 广东广纳芯科技有限公司
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