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本申请涉及光电探测单元、光电探测结构及其制备方法、光电探测器及其制备方法，其中，光电探测单元包括第一基底；第一结构，具有第一掺杂类型，形成于第一基底的正面上；第二结构，具有第二掺杂类型，形成于第一结构内，第一结构具有包围第二结构底面和侧面的底壁和侧壁；第一光处理层，具有凹凸结构，形成于第二结构的上表面；重掺杂区，具有第一掺杂类型，形成于侧壁内，重掺杂区的掺杂浓度大于侧壁的掺杂浓度；第一电极，与重掺杂区电连接；第二电极，与第二结构电连接。在本申请中，第一结构和第二结构形成光探测层，在光探测层上形成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112825339 A
(43)申请公布日
2021.05.21
(21)申请号 20191
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