一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件及制备方法.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件及制备方法.pdf

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本发明提供了一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件及制备方法，所述器件包括自下而上的第三金属，N+衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一沟槽和第二沟槽；还包括：第一金属，第一金属覆盖部分第一N+注入区上表面、第一P‑阱区侧表面和第二P+注入区上表面以形成欧姆接触；第二金属，第二金属覆盖第一间隔上表面以形成肖特基接触；所述集成SBD的碳化硅UMOSFET器件集成了额外的肖特基二极管，提升器件续流能力；同时利用深P+屏蔽区和部分包围槽角的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820777 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110175891.4 H01L 29/417 (2006.01)

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