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一种像素包括半导体衬底、光电二极管区域、浮动扩散区域和介电层。衬底具有形成沟槽的顶表面，沟槽由介电层做衬里，并且具有相对于顶表面的平面区域的沟槽深度。光电二极管区域在衬底中，并且包括在沟槽下方的底部光电二极管部分和与沟槽相邻的顶部光电二极管部分，顶部光电二极管部分邻接底部光电二极管部分，并且朝向平面区域延伸到小于沟槽深度的光电二极管深度。浮动扩散区域与沟槽相邻，并且具有小于沟槽深度的结深度。介电层的顶部区域在平面区域和结深度之间。介电层的底部区域在光电二极管深度和沟槽深度之间，并且比顶部区域厚。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112825322 A
(43)申请公布日 2021.05.21
(21)申请号 202010947311.4
(22)申请日 2020.09.10
(30)优先权数据
16/689,93
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