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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有外延层，所述外延层内形成有沟槽，在所述沟槽内形成一设定厚度的第一氧化层；去除部分所述第一氧化层；在所述沟槽的侧壁及所述第一氧化层上形成第二氧化层；在所述沟槽内形成栅极。本发明通过在栅氧工艺前在沟槽内形成第一氧化层，增加沟槽底部的氧化层厚度，以增强沟槽的承压能力，提高半导体器件的击穿电压。进一步的，本发明通过次常压化学气相沉积工艺形成第一氧化层，并通过湿法刻蚀工艺调整所述第一氧化层的厚度，实现沟槽底部氧化层厚度的可调性，可以满足
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802752 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202011643407.8
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 广州粤芯半导体技术有限公司
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