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提供了一种加工半导体晶圆的方法。所述方法包含:提供具有正面和背面的半导体晶圆,所述半导体晶圆在所述正面处设置有电路层并且在所述背面处设置有经过图案化的表面;在所述背面上形成牺牲层;在所述牺牲层上安装胶带,所述牺牲层将所述经过图案化的表面与所述胶带隔离,其中所述牺牲层与所述经过图案化的表面之间的粘附强度大于所述牺牲层与所述胶带之间的粘附强度;通过所述胶带在所述背面处分割所述半导体晶圆,从而在所述半导体晶圆上界定单独的芯片;以及扩展所述胶带以将所述芯片彼此分离。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112820696 A
(43)申请公布日
2021.05.18
(21)申请号 20201
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