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2023-06-07 发布于四川
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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SGT结构及其制作方法。其中结构包括：沟槽，由半导体衬底的上表面向下延伸；沟槽下部空间的内表面上覆盖有屏蔽介质层，屏蔽介质层包围形成第一容置空间；源极多晶硅，填充第一容置空间，且源极多晶硅的顶端外露于第一容置空间；第一隔离介质层，覆盖在源极多晶硅外露部分两侧的屏蔽介质层上；第二隔离介质层，覆盖在外露的源极多晶硅表面上，和，沟槽上部空间的内表面上；第一隔离介质层和第二隔离介质层包围形成第二容置空间；栅极多晶硅，填充第二容置空间；制作方法用于制作上述

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802892 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110011298.6 (22)申请日 2021.01.06 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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