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本发明提供了一种提高窄带隙半导体光阳极稳定性及转化效率的方法。通过在窄带隙半导体光阳极表面进行功能多层保护，可以有效地钝化光阳极表面缺陷，高效地提取半导体光生空穴，显著地抑制表面光腐蚀反应，从而提高了光阳极的稳定性。特点是使用绝缘氧化物为介电层，水合氧化铁为空穴存储层以及产氧催化剂层，可以很大程度上避免光生电荷的复合。利用本发明提供的方法，可以使窄带隙半导体光阳极的稳定性由数分钟提高至5天以上。这不仅为高效光电极的界面调控提供了一种新的思路，而且有望实现太阳能分解水制氢技术的大规模应用奠定了基础
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112831801 B
(45)授权公告日 2022.03.22
(21)申请号 201911071152.X CN 103966623 A,2014.
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