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本发明提供了一种芯片外延层结构及其制造方法,包括衬底层、下层外延层、上层外延层及刻蚀缓冲层;所述下层外延层位于所述衬底层一端,所述下层外延层远离所述衬底层的一端设置有所述刻蚀缓冲层,所述刻蚀缓冲层远离所述衬底层的一端设置有所述上层外延层;所述刻蚀缓冲层的刻蚀速率低于所述上层外延层的刻蚀速率;在上层外延层和下层外延层之间加入刻蚀缓冲层,且刻蚀缓冲层的刻蚀速率小于上层外延层,即在对上层外延层进行刻蚀的过程中,刻蚀缓冲层的磨损速度低于上层外延层,从而在对上层外延层的刻蚀过程中起到对下层外延层的保护作用
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112820805 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202110191780.2
(22)申请日 2021.02.19
(71)申请人 福建兆元光电有限公司
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