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一种错层式金属位线(BL)走线的磁性随机存储器(MRAM)存储阵列，磁性随机存储器阵列内的每列磁性隧道结(MTJ)的一端连接同一根位线，其特征在于，任意相邻两根位线(BL)的金属层走线分别错层，任意相邻两根位线(BL)的金属层走线由不同金属层所形成。利用相邻位线(BL)间的错层金属层化设计来减小相邻位线(BL)间的寄生耦合电容，从而降低了正在读、写操作的位线对相邻位线产生影响，保证了内部存储单元保存数据的准确性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112837723 A
(43)申请公布日
2021.05.25
(21)申请号 20191
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