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本申请提供一种半导体器件的制备方法，涉及半导体制备工艺技术领域，该方法包括在晶圆上覆盖非感光物质层；在非感光物质层上覆盖感光物质层；通过一次构图工艺在感光物质层和非感光物质层上形成预设图案以露出晶圆表面，其中，在感光物质层上形成有第一开口，在非感光物质层上形成有第二开口，且第一开口的口径小于第二开口的口径；在露出的晶圆上形成第一深度槽；在第一深度槽的槽底形成第二深度槽，其中，第二深度槽的宽度小于等于第一深度槽的宽度；去除晶圆上剩余的非感光物质层和感光物质层。仅通过一次构图工艺即可形成，节省了光刻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112802747 B
(45)授权公告日 2021.07.16
(21)申请号 202110326630.8 (56)对比文件
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