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一种发光二极管装置包含第一半导体层、主动层、第二半导体层以及第一接触电极层。第一半导体层具有第一部分与第二部分,主动层覆盖第一半导体层的第一部分且不覆盖第二部分,第二半导体层设置于主动层上。第一接触电极层电性连接第一半导体层,并包含多个导电部。导电部位于第一半导体层远离主动层的一侧,并包含至少一外围导电部,外围导电部设置于第一半导体层的第二部分之下。上述结构配置有利于维持发光二极管装置的可靠度,并同时提升其亮度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112825342 B
(45)授权公告日 2022.03.15
(21)申请号 201911140300.9 审查员 周忠堂
(22)申请日 2019.11.20
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