一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置.pdf

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本发明涉及一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置，该方法将镀膜后的巴条在140‑150℃温度范围内预热处理2‑5min，然后在200‑400℃任一恒定温度下保温处理10‑15min，最后在140‑150℃温度范围内降温处理2‑5min；并重复预热、保温和降温过程3‑5次，完成对巴条的处理过程。本发明填充了光学薄膜中激光器腔面镀高反膜后的处理技术空白，开创了一条镀膜后膜层反射率和质量提升新工艺手段。本发明在提高高反膜的反射率同时，处理的过程中会是的薄膜与腔面的应力得到释放，从而提升LD

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112813403 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 201911118048.1 H01S 5/028 (2006.01) (22)申请日 2019.11

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