多晶硅的刻蚀方法.pdfVIP

多晶硅的刻蚀方法.pdf

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本发明公开了一种多晶硅的刻蚀方法，针对两部分区域之间具有台阶的多晶硅刻蚀，所述两部分区域包含高压氧化层区域以及多晶硅栅极区域；两部分区域进行多晶硅同步刻蚀时，先通过第一步多晶硅刻蚀工艺形成过渡形貌，然后再通过两次多晶硅刻蚀将高压氧化层区域及多晶硅栅极区域的多晶硅形貌刻蚀到设计状态。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820640 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110011318.X (22)申请日 2021.01.06 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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