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本发明公开一种SRAM存储单元及存储器，涉及电路设计技术领域，用于提高数据安全性，并降低了SRAM存储器的面积及功耗。所述SRAM存储单元包括：数据锁存电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路及存储电路。数据锁存电路具有第一输出端、第二输出端及转换节点。第一开关电路串接在第二输出端与转换节点之间。第二开关电路串接在第一输出端和存储电路的第一端之间。第三开关电路串接在转换节点和存储电路的第一端之间。存储电路的第二端用于与接地端电连接。所述SRAM存储器包括上述技术方案所提的SRAM存储单元。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112802520 B
(45)授权公告日 2022.05.06
(21)申请号 202110119716.3 CN 102804603 A,2012.11.28
(22)申请日
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