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SRAM包括多个存储器单元,每个存储器单元包括数据存储单元;数据I/O控件,用于将数据输入到数据线(BL)以及从数据线(BL)输出数据;以及多个存取控件,分别连接到至少两个存取控制线(WL)并且用于启用和禁用来自至少两个WL(WX和WY)的数据输入和输出。存取控件配置为仅当两个WL处于其相应的状态时允许数据输入。一种写入SRAM单元组的方法包括:经由第一WL向单元发送第一写入启用信号,向相应的单元发送相应的第二写入启用信号的组,以及对于每个单元,如果第一写入启用信号和相应的第二写入启用信号中的任
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112837730 A
(43)申请公布日 2021.05.25
(21)申请号 202011302134.0
(22)申请日 2020.11.19
(30)优先权数据
16/693,67
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