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2023-06-07 发布于四川
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一种用于半导体器件镀氧化膜的换气装置.pdf

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本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种用于半导体器件镀氧化膜的换气装置，包括炉体，所述炉体的内部固定连接有置物层，所述置物层的外壁固定连接有电热丝，所述置物层的顶部固定连接有导热金属，所述导热金属的左侧固定连接有导热气囊，所述导热气囊的左侧固定连接有接触球，所述炉体的内部且靠近接触球的外壁固定连接有接触点一。该用于半导体器件镀氧化膜的换气装置，通过气压气囊带动电介质板运动，使得正极板与负极板的相对接触面积减小，使得电压减小，从而使得通过压敏电阻的电流低于其最大限值，电路通路带动电热丝加热，从

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112815718 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110071058.5 (22)申请日 2021.01.19 (71)申请人黄梦蕾地址 454

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