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本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次外延生长高温AlN缓冲层、过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，过渡层为周期性结构，周期性结构包括交替层叠的AlN层和AlGaN层，沿外延片生长的方向，各个AlGaN层的生长压力逐渐降低。过渡层中的AlN层能够促使高温AlN缓冲层延伸上来的位错缺陷弯曲，增加位错相互湮灭几率，从而达到减少位错缺陷的目的，先生长的AlGaN层的生长压力较高，促使AlGaN层的三维岛状生长，后生长的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802929 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202110164464.6
(22)申请日 2021.02.05
(71)申请人 华灿光电（浙江）有限公司
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