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2023-06-07 发布于四川
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一种沟槽IGBT结构多晶硅形貌优化工艺.pdf

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本发明公开了一种沟槽IGBT结构多晶硅形貌优化工艺，包括IGBT本体，其特征在于：所述IGBT本体由栅极、发射极和集电极三个极控制，所述IGBT本体的主要静态参数为：①阻断电压V(BR)CES—器件在正向阻断状态下的耐压；②通态压降VCE(on)—器件在导通状态下的电压降；③阈值电压VGE(th)—器件从阻断状态到导通状态所需施加的栅极电压VG，沟槽栅IGBT的载流子浓度逐步升高，更高的载流子浓度有利于降低通态损耗；另一方面，载流子越少，越有利于降低关断损耗，可以通过增加每个IGBT导电沟道的宽

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802749 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110011375.8 (22)申请日 2021.01.06 (71)申请人江苏东海半导体科技有限公司

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