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根据Q‑learning自学习算法的原理,本发明提供一种基于两级Q表格的DRAM行缓冲器管理方法。本发明的创新点在于设计合理的参数来描述行缓冲器的状态,结合DRAM行缓冲器的工作原理,设计合理的动作奖惩值;针对原始Q表格的高昂存储代价,本发明提出两级Q表格的技术方案,根据每个内存行实际的访问情况,按需分配表格条目,避免存储空间的浪费,有效降低存储代价。本发明的优势在于动态适配不同应用程序的内存行访问模式,自学习得到当前系统环境下最优的行缓冲器管理方法,有效提升DRAM行缓冲器的工作效率,降低DA
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112799976 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202110186111.6
(22)申请日 2021.02.15
(71)申请人 浙江工商大学
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