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本发明属于图像传感器领域，为提出一种无图像拖尾的栅上双电极型传输管CMOS图像传感器，在不改变像素有源区掺杂和形貌的基础上，通过双电极在传输管栅极施加不同电压的时序配合，从而改变电荷传输路径的电势，实现电荷的快速转移读出和减少图像拖尾。为此，本发明采取的技术方案是，无图像拖尾的栅上双电极型传输管CMOS图像传感器，包括硅衬底、感光区的钳位光电二极管、具有双电极的电荷传输栅即传输管、电荷电压转化储存节点、复位管，钳位光电二级管的光电转化区处于传输管左侧，其光电转化区与传输管栅极下沟道直接连接，传输
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112820746 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202011192190.3
(22)申请日 2020.10.30
(71)申请人 天津大学
地址 30
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