降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro-LED的制备方法.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro-LED的制备方法.pdf

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本发明涉及一种降低外延片翘曲度的方法及微显示阵列和Micro‑LED的制备方法，外延片包括由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、N‑GaN层、有源层以及接触层，包括如下步骤：测试外延片的翘曲度；在翘曲度超过预设值的外延片朝向接触层的一侧上朝向衬底的方向刻蚀沟槽，且N‑GaN层被刻蚀至预设深度。首先对外延片的翘曲度进行测试，筛选出翘曲度超过预设值的外延片，然后在翘曲度超过预设值的外延片朝向接触层的一侧上朝向衬底的方向刻蚀沟槽，且N‑GaN层被刻蚀至预设深度，相较于现有技术，本发明会刻蚀至N‑GaN层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802745 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110043654.2 H01L 33/00 (2010.01)

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