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本发明涉及一种测量硅抛光片表面铜含量的方法，所属硅抛光片金属含量检测技术领域，包括如下操作步骤：先取两片在晶棒上处于同一位置相邻的硅抛光片，确保两片硅抛光片的体铜含量是一致性，接着使用SPV法测出其中一枚硅抛光片体铜含量，记为B1。再把另一枚硅抛光片放入退火炉在高纯氩气保护下，在高温下加热10～20分钟，使硅抛光片表面的铜驱入硅片体内。然后再次使用SPV法测出高温退火后的硅抛光片体铜含量，记为B2。最后利用SPV法测量两片硅抛光片的体铜含量算式算出硅片表面铁含量，硅片表面铁含量
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112798543 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202110068156.3
(22)申请日 2021.01.19
(71)申请人 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
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