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2023-06-07 发布于四川
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半导体器件的制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成沟槽；进行工艺温度为950℃～1100℃的热氧化生长工艺，以在所述沟槽的内壁形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层；进行工艺温度为1100℃～1200℃的热氧化生长工艺，以在所述沟槽的内壁形成栅氧化层。本发明所述的半导体器件的制造方法通过改进热氧化生长工艺形成牺牲氧化层和栅氧化层时的工艺参数使得沟槽的底部更加圆滑，同时提高了所述栅氧化层的厚度均匀性，从而优化了半导体器件的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802742 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110314445.7 (22)申请日 2021.03.24 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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