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本发明提供一种晶圆研磨方法,包括以下步骤:晶圆背面清洗步骤:提供一晶圆,清洗所述晶圆背面;晶圆载入步骤:将晶圆载入研磨腔室,并采用真空吸附部件吸附晶圆的背面;晶圆研磨步骤:停止真空吸附部件对晶圆背面的吸附,并采用研磨部件对晶圆的双面进行研磨;晶圆载出步骤:将晶圆载出研磨腔室。本发明在晶圆研磨工艺之前增加晶圆背面清洗步骤,通过施加清洗液、毛刷摩擦的物理清洗方式,使得前序工艺残留的切割液和颗粒物更多的从晶圆背面去除,从而有效保持晶圆背面的清洁,避免后续晶圆因真空吸附部件与晶圆背面之间存在残留颗粒物而
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112820629 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202011627236.X
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 上海
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