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本发明公开了一种半导体储存器用GeAsSeTe粉体的制备方法,属于相变材料领域。本发明所述GeAsSeTe粉体的制备方法中,通过先将Ge、As、Se、Te四种元素按两两元素混合制备成三种二元合金,不仅减少了后续粉体产品对设备的高要求,同时解决了Se和Te的易挥发及与其他两种元素合金化不均的问题;所述GeAsSeTe粉体的制备过程温度较低,避免了元素的挥发而造成合金的组分配比不均匀,所得产品合金化程度高且含氧量低,满足工业生产要求;所述制备方法无需真空密闭环境,反应过程简单且反应容器可重复使用,经
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112794293 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202011555990.7
(22)申请日 2020.12.24
(71)申请人 先导薄膜材料(广东)有限公司
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