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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法,包括堆叠层和贯穿堆叠层的多个沟道结构,所述堆叠层包括顶部选择栅极层,所述沟道结构依次包括位于沟道孔内侧壁的存储层、沟道层和填充物,以及位于每个所述沟道结构的填充物中、与所述顶部选择栅极层相对的内部电极,位于所述填充物上与所述沟道层连接的接触插塞,穿过所述接触插塞与所述内部电极连接的电极引出触点,所述电极引出触点与所述接触插塞之间具有电介质层。通过控制顶部选择栅极层和内部电极之间的压差,可以实现顶部选择栅极层的开关,从而实现对沟道结构的单独选定,因此可以替代
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112820733 B
(45)授权公告日 2022.04.29
(21)申请号 202110011426.7 H01L 27/11582 (2017.01)
(22)申请
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