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本申请具体涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：包括：提供衬底；于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；采用氢化物气相外延工艺于图形化掩膜层的表面形成牺牲层；包括：将形成有图形化掩膜层的所述衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括氯化氢及氨气的反应气体，氯化氢的气体流量恒定，氨气的气体流量在预设范围内呈连续性变化；于牺牲层上形成N型掺杂厚膜氮化镓层。本申请可以使得牺牲层在刚开始外延生长时保持较高质量，并在后续外延过程中增大横向外延，减少凹坑缺陷
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112820636 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202110049797.4 H01L 29/20 (2006.01)
(22)申请日 2
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