一种GaN微波大功率器件的散热结构制备方法.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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一种GaN微波大功率器件的散热结构制备方法.pdf

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本发明涉及电子器件封装技术领域，具体涉及一种GaN微波大功率器件的散热结构制备方法，选取金刚石基板进行打孔，打孔完成后，采用超声波清洗、烘干，对金刚石基板进行金属溅射，对带孔的金刚石基板背面和SiC基的GaNHEMT芯片的背面进行表面激活后，利用晶片键合机将多孔金刚石正面与芯片进行键合，再通过AuSn合金烧结工艺把带孔的金刚石基板焊接在CuW热沉上；本发明的目的是降低器件工作过程中芯片的结温，使器件工作的性能更佳，可靠性更高；本发明散热结构是在传统的芯片和热沉之间增加一层热导率更高的多孔金刚石

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802750 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202011584947.3 H01L 23/373 (2006.01)

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